Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 12–17
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43988.8259
(Mi phts6250)
 

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек

Е. Ю. Ждановab, А. Г. Погосовab, М. В. Буданцевa, Д. А. Похабовab, А. К. Бакаровab

a Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
Аннотация: Исследовано магнетосопротивление подвешенных полупроводниковых наноструктур с двумерным электронным газом, структурированным периодическими квадратными решeтками антиточек. Показано, что баллистический режим электронного транспорта сохраняется после отрыва образцов от подложки. Проведeн прямой сравнительный анализ соизмеримых осцилляций магнетосопротивления, а также их температурных зависимостей в образцах до и после подвешивания. Обнаружено, что температурные зависимости практически идентичны для неподвешенных и подвешенных образцов, в то время как в нелинейном режиме, обусловленном пропусканием постоянного тока, наблюдаются существенные отличия. Соизмеримые осцилляции в подвешенных образцах оказываются более устойчивыми по отношению к воздействию постоянного тока, что предположительно может быть объяснено усилением электрон-электронного взаимодействия после отрыва наноструктур от высокодиэлектрической подложки.
Поступила в редакцию: 05.04.2016
Принята в печать: 12.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 8–13
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010250
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Ю. Жданов, А. Г. Погосов, М. В. Буданцев, Д. А. Похабов, А. К. Бакаров, “Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 12–17; Semiconductors, 51:1 (2017), 8–13
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZhdPogBud17}
\by Е.~Ю.~Жданов, А.~Г.~Погосов, М.~В.~Буданцев, Д.~А.~Похабов, А.~К.~Бакаров
\paper Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 12--17
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6250}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43988.8259}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969398}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 8--13
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010250}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6250
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p12
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024