Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 8–11
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43987.8253 (Mi phts6249) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Исследования полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из гидротермальных отложений океанского рифта методом ЯМР Cu в локальном поле

В. Л. Матухинa, А. И. Погорельцевa, А. Н. Гавриленкоa, С. О. Гарькавыйa, Е. В. Шмидтa, С. Ф. Бабаеваb, А. А. Сухановаc, Е. И. Теруковd

a Казанский государственный энергетический университет
b Всероссийский научно-исследовательский институт геологии и минеральных ресурсов Мирового океана им. академика И. С. Грамберга, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный горный университет
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (287 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43987.8253
Аннотация: Представлены результаты исследования природных образцов минерала халькопирита CuFeS$_{2}$ из массивных океанических сульфидных руд Срединно-Атлантического хребта методом ядерного магнитного резонанса $^{63}$Cu (ЯМР $^{63}$Cu) в локальном поле при комнатной температуре. Значительная ширина обнаруженных резонансных линий в спектре ЯМР $^{63}$Cu прямо свидетельствует о большом распределении локальных магнитных и электрических полей в исследованных образцах халькопирита. Это распределение может быть следствием заметного отклонения состава исследованных образцов халькопирита от стехиометрического. Полученные результаты показывают, что импульсный метод ЯМР $^{63}$Cu может быть одним из эффективных методов изучения физических свойств глубоководных полиметаллических сульфидов Мирового океана.
Поступила в редакцию: 30.03.2016
Принята в печать: 04.04.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 4–7
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Л. Матухин, А. И. Погорельцев, А. Н. Гавриленко, С. О. Гарькавый, Е. В. Шмидт, С. Ф. Бабаева, А. А. Суханова, Е. И. Теруков, “Исследования полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из гидротермальных отложений океанского рифта методом ЯМР Cu в локальном поле”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 8–11; Semiconductors, 51:1 (2017), 4–7
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MatPogGav17}
\by В.~Л.~Матухин, А.~И.~Погорельцев, А.~Н.~Гавриленко, С.~О.~Гарькавый, Е.~В.~Шмидт, С.~Ф.~Бабаева, А.~А.~Суханова, Е.~И.~Теруков
\paper Исследования полупроводникового минерала CuFeS$_{2}$ из гидротермальных отложений океанского рифта методом ЯМР Cu в локальном поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 8--11
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6249}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.43987.8253}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969397}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 4--7
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6249
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p8
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024