Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 258–262
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44115.8349 (Mi phts6243) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа

П. И. Кузнецов, С. В. Аверин, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов

Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
PDF полного текста (430 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44115.8349
Аннотация: На основе сверхешетки ZnSe/ZnTe второго типа создан и исследован МПМ фотодетектор. Детектор обладает низкими темновыми токами и высокой чувствительностью. Спектральная характеристика детектора показывает возможность селективного детектирования трех отдельных участков спектра видимого и ближнего инфракрасного излучения.
Поступила в редакцию: 09.06.2016
Принята в печать: 23.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 249–253
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020099
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. И. Кузнецов, С. В. Аверин, В. А. Житов, Л. Ю. Захаров, В. М. Котов, “МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 258–262; Semiconductors, 51:2 (2017), 249–253
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzAveZhi17}
\by П.~И.~Кузнецов, С.~В.~Аверин, В.~А.~Житов, Л.~Ю.~Захаров, В.~М.~Котов
\paper МПМ детектор видимого диапазона длин волн на сверхрешетке ZnSe/ZnTe второго типа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 258--262
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6243}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44115.8349}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006008}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 249--253
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020099}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6243
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p258
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024