Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 234–239
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44111.8335 (Mi phts6239) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC

С. Н. Юрковa, Т. Т. Мнацакановa, М. Е. Левинштейнb, А. Г. Тандоевa, J. W. Palmourc

a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Wolfspeed, USA
PDF полного текста (137 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44111.8335
Аннотация: Рассмотрено влияние неодномерных эффектов, обусловленных растеканием тока управления в базовом слое, на величину отпирающего тока управления тиристоров на основе 4$H$-SiC. Показано, что реализующийся в 4$H$-SiC тиристорах новый механизм переключения приводит к зависимости отпирающего тока управления от параметров тиристора, качественно отличающейся от соответствующей зависимости в традиционных кремниевых тиристорах.
Поступила в редакцию: 24.05.2016
Принята в печать: 14.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 225–231
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020257
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Н. Юрков, Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, А. Г. Тандоев, J. W. Palmour, “Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 234–239; Semiconductors, 51:2 (2017), 225–231
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YurМnaLev17}
\by С.~Н.~Юрков, Т.~Т.~Мнацаканов, М.~Е.~Левинштейн, А.~Г.~Тандоев, J.~W.~Palmour
\paper Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 234--239
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6239}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44111.8335}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006003}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 225--231
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020257}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6239
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p234
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024