Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 216–221
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44108.8344
(Mi phts6236)
 

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины

Р. Г. Валеевa, А. Л. Тригубab, А. И. Чукавинc, А. Н. Бельтюковc

a Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Физико-технический институт Уральского отделения РАН
Аннотация: Представлены результаты исследований методами EXAFS, XANES и рентгенодифракционных исследований наноразмерных структур ZnS : Cu (5 ат%), полученных методом термического осаждения смеси порошков ZnS и Cu в матрицы пористого анодного оксида алюминия с диаметром пор 80 нм и толщиной 1, 3 и 5 мкм. Проведено сравнение с результатами, полученными для пленок ZnS : Cu, осажденных на поверхность поликора. Рентгенофазовый анализ образцов показал наличие соединений меди и цинка с серой (Cu$_{2}$S и ZnS соответственно), причем последнее находится в кубической (сфалерит) и гексагональной (вюрцит) модификациях. EXAFS- и XANES-исследования на $K$-крае поглощения цинка и меди показали, что в образцах, напыленных на поликор и оксид алюминия толщиной 3 и 5 мкм, большая часть атомов меди находится в соединении Cu$_{2}$S, тогда как в образце, напыленном на слой оксида алюминия толщиной 1 мкм, атомы меди формируют на поверхности образца металлические частицы. Наличие кристаллической меди оказывает влияние на межатомное расстояние Zn–S для образца с толщиной слоя пористого Al$_{2}$O$_{3}$ 1 мкм: оно меньше по сравнению с характерным для других образцов.
Поступила в редакцию: 06.06.2016
Принята в печать: 16.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 2, Pages 207–212
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Г. Валеев, А. Л. Тригуб, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 216–221; Semiconductors, 51:2 (2017), 207–212
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ValTriChu17}
\by Р.~Г.~Валеев, А.~Л.~Тригуб, А.~И.~Чукавин, А.~Н.~Бельтюков
\paper Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат\%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 216--221
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6236}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44108.8344}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006000}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 207--212
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6236
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p216
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:25
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024