Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 166–171
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44098.8166
(Mi phts6226)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Полевая диффузия в неупорядоченных органических материалах в условиях заполнения глубоких состояний

В. Р. Никитенко, А. Ю. Кудров

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
Аннотация: Развита простая аналитическая модель для коэффициента полевой диффузии при умеренной концентрации носителей заряда. Прыжковый транспорт описывается моделью многократного захвата на основе концепции транспортного уровня. Получено уравнение непрерывности с коэффициентом диффузии, зависящим от концентрации носителей, найдена зависимость коэффициента полевой диффузии от времени в нестационарных условиях. Получены оценки интервалов времени, на которых заполнение глубоких состояний влияет на подвижность и коэффициент диффузии в условиях времяпролетного эксперимента. Показано, что коэффициент полевой диффузии возрастает на длительном временном интервале, хотя подвижность постоянна, что напоминает случай неравновесной начальной генерации в предельном случае низкой концентрации.
Поступила в редакцию: 16.05.2016
Принята в печать: 16.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Pages 158–162
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617020129
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Р. Никитенко, А. Ю. Кудров, “Полевая диффузия в неупорядоченных органических материалах в условиях заполнения глубоких состояний”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 166–171; Semiconductors, 51 (2017), 158–162
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikKud17}
\by В.~Р.~Никитенко, А.~Ю.~Кудров
\paper Полевая диффузия в неупорядоченных органических материалах в условиях заполнения глубоких состояний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 2
\pages 166--171
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6226}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.02.44098.8166}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29005987}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\pages 158--162
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617020129}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6226
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i2/p166
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024