Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 426–430
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44220.8387
(Mi phts6222)
 

Эта публикация цитируется в 20 научных статьях (всего в 20 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц

Л. С. Паршинаa, О. Д. Храмоваa, О. А. Новодворскийa, А. А. Лотинa, И. А. Петуховb, Ф. Н. Путилинb, К. Д. Щербачевc

a ИПЛИТ РАН – филиал Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Россия
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения со скоростной сепарацией частиц на подложках кварцевого стекла без последующего отжига получены тонкие пленки SnO$_{2}$ : Sb при различных условиях осаждения в диапазоне плотности энергии на мишени от 3.4 до 6.8 Дж/см$^{2}$. Исследованы их оптические, структурные и электрические свойства. Установлено, что плотность энергии на мишени влияет на проводимость и пропускание пленок SnO$_{2}$ : Sb. Определены оптимальные условия получения пленок бескапельным методом импульсного лазерного осаждения. Минимум удельного сопротивления 1.2 $\cdot$ 10$^{-3}$ Ом $\cdot$ см наблюдался при плотности энергии на мишени 4.6 Дж/см$^{2}$, температуре подложки 300$^\circ$C и давлении кислорода в вакуумной камере в процессе осаждения 20 мТорр.
Поступила в редакцию: 09.08.2016
Принята в печать: 17.08.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 407–411
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030228
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, О. А. Новодворский, А. А. Лотин, И. А. Петухов, Ф. Н. Путилин, К. Д. Щербачев, “Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 426–430; Semiconductors, 51:3 (2017), 407–411
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ParKhrNov17}
\by Л.~С.~Паршина, О.~Д.~Храмова, О.~А.~Новодворский, А.~А.~Лотин, И.~А.~Петухов, Ф.~Н.~Путилин, К.~Д.~Щербачев
\paper Влияние плотности энергии на мишени на свойства пленок SnO$_{2}$ : Sb при использовании скоростного сепаратора частиц
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 426--430
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6222}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44220.8387}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006042}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 407--411
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030228}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6222
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p426
  • Эта публикация цитируется в следующих 20 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:51
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024