Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 409–413
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44217.8300
(Mi phts6219)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства пленок ZnO : Er$^{3+}$, полученных золь-гель методом

В. В. Малютина-Бронскаяa, А. В. Семченкоb, В. В. Сидскийb, В. Е. Федоровc

a Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника", г. Минск
b Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
c Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация: В процессе выполнения данной работы на поверхностях монокристаллического кремния и стекла синтезированы золь-гель методом поликристаллические и однофазные пленки ZnO : Al : Er$^{3+}$, на основе различных типов растворителей. Из анализа электрофизических измерений (вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики) следует, что пленки ZnO : Al : Er$^{3+}$ обладают фоточувствительными свойствами. Введение ионов редкоземельного металла Er$^{3+}$ в пленки оксида цинка проявляется в появлении фоточувствительности вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик на излучение в видимом и инфракрасном диапазонах длин волн. Полученные результаты данной работы показывают, что пленки ZnO : Al : Er$^{3+}$, синтезированные золь-гель методом, могут быть использованы в оптоэлектронных приборах и, в частности, для создания активных слоев солнечных элементов.
Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 27.07.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 392–395
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030186
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Малютина-Бронская, А. В. Семченко, В. В. Сидский, В. Е. Федоров, “Свойства пленок ZnO : Er$^{3+}$, полученных золь-гель методом”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 409–413; Semiconductors, 51:3 (2017), 392–395
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MalSemSid17}
\by В.~В.~Малютина-Бронская, А.~В.~Семченко, В.~В.~Сидский, В.~Е.~Федоров
\paper Свойства пленок ZnO : Er$^{3+}$, полученных золь-гель методом
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 409--413
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6219}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44217.8300}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006038}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 392--395
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030186}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6219
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p409
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:49
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024