|
Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей
Л. С. Лунинa, М. Л. Лунинаa, О. В. Девицкийb, И. А. Сысоевb a Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону
b Северо-Кавказский федеральный университет, Ставрополь, Россия
Аннотация:
Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого $p$–$n$-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния.
Поступила в редакцию: 26.04.2016 Принята в печать: 12.05.2016
Образец цитирования:
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, “Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 403–408; Semiconductors, 51:3 (2017), 387–391
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6218 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p403
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 9 |
|