Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей

Методом импульсного лазерного напыления получены тонкие (до 1 мкм) пленки AlGaAs и GaP на кремниевых подложках. Проанализированы методы снижения количества структурных дефектов в полученных пленках, определено влияние механических напряжений на гетероструктуры AlGaAs/Si, GaP/Si методом комбинационного рассеяния света. Исследовано применение Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As и GaP в качестве широкозонного окна кремниевого фотопреобразователя. Исследованы спектральные характеристики фотоэлементов на основе Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As/Si и GaP/Si. Данные гетероструктуры могут быть использованы в качестве первого $p$–$n$-перехода многопереходного фотоэлектрического преобразователя на основе кремния.