Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 386–389
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44213.8208 (Mi phts6215) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах фосфидгаллиевых светодиодов зеленого спектра излучения

В. К. Ионычев, А. А. Шестеркина

Мордовский государственный университет, г. Саранск
PDF полного текста (114 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44213.8208
Аннотация: Проведено исследование статистической задержки микроплазменного пробоя в фосфидгаллиевых светодиодах зеленого спектра излучения. В температурном диапазоне 300–380 K обнаружено необычное сильное влияние глубоких центров на статистическую задержку лавинного пробоя при изменении их зарядового состояния снижением обратного напряжения на $p$–$n$-переходе. Выявлено четыре глубоких уровня и определены их параметры.
Поступила в редакцию: 16.02.2016
Принята в печать: 27.07.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 370–373
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030083
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. К. Ионычев, А. А. Шестеркина, “Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах фосфидгаллиевых светодиодов зеленого спектра излучения”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 386–389; Semiconductors, 51:3 (2017), 370–373
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IonShe17}
\by В.~К.~Ионычев, А.~А.~Шестеркина
\paper Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах фосфидгаллиевых светодиодов зеленого спектра излучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 386--389
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6215}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44213.8208}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006034}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 370--373
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030083}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6215
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p386
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024