Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 367–371
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44209.8377
(Mi phts6211)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик

Н. Ю. Кирсановa, Н. В. Латухинаa, Д. А. Лизунковаa, Г. А. Рогожинаa, М. В. Степиховаb

a Самарский национальный исследовательский университет имени академика С. П. Королева
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Исследованы спектральные характеристики коэффициента зеркального отражения, фоточувствительности и фотолюминесценции многослойных структур на основе пористого кремния с ионами редкоземельных элементов. Показано, что фоточувствительность таких структур в диапазоне длин волн 0.4–1.0 мкм повышена по сравнению со структурами без редкоземельных элементов. Структуры с ионами Er$^{3+}$ проявляют люминесцентные свойства при комнатной температуре в спектральном диапазоне от 1.1 до 1.7 мкм. Спектр фотолюминесценции эрбиевой примеси представлен тонкой структурой линий, отражающих структуру расщепления мультиплета $^{4}I_{15/2}$ иона Er$^{3+}$. Показано, что структуры с пористым слоем на рабочей поверхности имеют значительно более низкий коэффициент отражения во всем измеряемом спектральном диапазоне 0.2–1.0 мкм.
Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 12.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 353–356
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030101
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Ю. Кирсанов, Н. В. Латухина, Д. А. Лизункова, Г. А. Рогожина, М. В. Степихова, “Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 367–371; Semiconductors, 51:3 (2017), 353–356
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KirLatLiz17}
\by Н.~Ю.~Кирсанов, Н.~В.~Латухина, Д.~А.~Лизункова, Г.~А.~Рогожина, М.~В.~Степихова
\paper Многослойные фоточувствительные структуры на основе пористого кремния и соединений редкоземельных элементов: исследования спектральных характеристик
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 367--371
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6211}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44209.8377}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006029}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 353--356
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030101}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6211
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p367
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:29
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024