Излучательные $d$–$d$-переходы на центрах вольфрама в полупроводниках А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$

Исследованы спектры люминесценции примесных центров W в полупроводниках А$^{\mathrm{II}}$В$^{\mathrm{VI}}$ ZnSe, CdS и CdSe. Обнаружено, что при переходе от электронной системы 3$d$-центров (Cr) к системе 5$d$-центров (W) происходит существенное изменение спектральных характеристик примесного излучения. Идентификация электронных переходов проведена по диаграммам Танабе–Сугано теории кристаллического поля. С учетом особенностей спектров установлено, что излучательные переходы на 5$d$-центрах W в исследованных кристаллах происходят в области слабого кристаллического поля между уровнями с различными значениями спина.