Атомная конфигурация и зарядовое состояние водорода на дислокациях в кремнии

Исследовалось влияние введения водорода на колебательные спектры и электрофизические свойства образцов с дислокационными сетками (ДС) на интерфейсе сращенных пластин кремния. Для увеличения чувствительности измерений и выделения сигнала ДС в спектрах комбинационного рассеяния использовались образцы в виде стандартных тонких фольг, применяемых в просвечивающей электронной микроскопии. В образцах с дислокационными сетками был зарегистрирован пик комбинационного рассеяния 2000 см$^{-1}$, который сохранялся после отжига при $T$ = 500$^\circ$C и не наблюдался в контрольных образцах. Сопоставление экспериментальных данных с имеющимися теоретическими расчетами позволило приписать обнаруженный пик к $H^{0}$ в центре Si-Si связи, который является метастабильным в идеальной решетке, но стабилизируется в окрестности дислокации.