Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 302–304
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44197.8315
(Mi phts6199)
 

Электронные свойства полупроводников

Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя

В. Ф. Банная

Московский государственный педагогический университет, Москва
Аннотация: Показано, что измерение поля электрического пробоя $E_{\operatorname{np}}$ в классически сильном магнитном поле $(H)$ при $T$ = 4.2 K позволяет определять величину степени компенсации $K$ в чистом германии с $K<$ 50% значительно точнее, чем при $H$ = 0. Введен параметр $S=E_{\operatorname{np}}/H$ и рассчитана его зависимость $S =f(K)$, полученная кривая позволяет определить $K$, если известны $H$ и $E_{\operatorname{np}}$. Для уменьшения сопротивления образцов рекомендуется проводить измерения при наличии примесной подсветки. Показано, что при малых интенсивностях такого возбуждения величина $E_{\operatorname{np}}$ не меняется.
Поступила в редакцию: 10.05.2016
Принята в печать: 16.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 3, Pages 290–292
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617030046
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Ф. Банная, “Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 302–304; Semiconductors, 51:3 (2017), 290–292
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Ban17}
\by В.~Ф.~Банная
\paper Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 302--304
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6199}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.03.44197.8315}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29006016}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 3
\pages 290--292
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617030046}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6199
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p302
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024