|
Электронные свойства полупроводников
Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя
В. Ф. Банная Московский государственный педагогический университет, Москва
Аннотация:
Показано, что измерение поля электрического пробоя $E_{\operatorname{np}}$ в классически сильном магнитном поле $(H)$ при $T$ = 4.2 K позволяет определять величину степени компенсации $K$ в чистом германии с $K<$ 50% значительно точнее, чем при $H$ = 0. Введен параметр $S=E_{\operatorname{np}}/H$ и рассчитана его зависимость $S =f(K)$, полученная кривая позволяет определить $K$, если известны $H$ и $E_{\operatorname{np}}$. Для уменьшения сопротивления образцов рекомендуется проводить измерения при наличии примесной подсветки. Показано, что при малых интенсивностях такого возбуждения величина $E_{\operatorname{np}}$ не меняется.
Поступила в редакцию: 10.05.2016 Принята в печать: 16.05.2016
Образец цитирования:
В. Ф. Банная, “Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 302–304; Semiconductors, 51:3 (2017), 290–292
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6199 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i3/p302
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 7 |
|