|
Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники
Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка
А. В. Марченкоa, Е. И. Теруковb, А. Ю. Егороваc, В. С. Киселевa, П. П. Серегинa a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный горный университет
Аннотация:
Примесные атомы железа в стеклообразных пленках селенида мышьяка As$_{2}$Se$_{3}$, модифицированных железом, образуют одноэлектронные донорные центры с энергией ионизации 0.24(3) эВ (энергия отсчитывается от дна зоны проводимости). Уровень Ферми с ростом концентрации железа смещается от середины запрещенной зоны к положению донорного уровня железа за счет заполнения одноэлектронных состояний акцепторного типа, лежащих ниже уровня Ферми. При концентрациях железа $\ge$ 3 ат% с увеличением температуры выше 350 K наблюдается процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа, приводящий к изменению как электронной плотности, так и тензора градиента электрического поля на ядрах атомов железа.
Поступила в редакцию: 22.09.2016 Принята в печать: 03.10.2016
Образец цитирования:
А. В. Марченко, Е. И. Теруков, А. Ю. Егорова, В. С. Киселев, П. П. Серегин, “Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 472–476; Semiconductors, 51:4 (2017), 449–453
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6180 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p472
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 14 |
|