Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 472–476
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44338.8411
(Mi phts6180)
 

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка

А. В. Марченкоa, Е. И. Теруковb, А. Ю. Егороваc, В. С. Киселевa, П. П. Серегинa

a Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный горный университет
Аннотация: Примесные атомы железа в стеклообразных пленках селенида мышьяка As$_{2}$Se$_{3}$, модифицированных железом, образуют одноэлектронные донорные центры с энергией ионизации 0.24(3) эВ (энергия отсчитывается от дна зоны проводимости). Уровень Ферми с ростом концентрации железа смещается от середины запрещенной зоны к положению донорного уровня железа за счет заполнения одноэлектронных состояний акцепторного типа, лежащих ниже уровня Ферми. При концентрациях железа $\ge$ 3 ат% с увеличением температуры выше 350 K наблюдается процесс электронного обмена между нейтральными и ионизованными центрами железа, приводящий к изменению как электронной плотности, так и тензора градиента электрического поля на ядрах атомов железа.
Поступила в редакцию: 22.09.2016
Принята в печать: 03.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 449–453
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040133
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Марченко, Е. И. Теруков, А. Ю. Егорова, В. С. Киселев, П. П. Серегин, “Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 472–476; Semiconductors, 51:4 (2017), 449–453
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MarTerEgo17}
\by А.~В.~Марченко, Е.~И.~Теруков, А.~Ю.~Егорова, В.~С.~Киселев, П.~П.~Серегин
\paper Электронный обмен между нейтральными и ионизованными примесными центрами железа в стеклообразном селениде мышьяка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 472--476
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6180}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44338.8411}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404887}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 449--453
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040133}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6180
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p472
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024