Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 453–460
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44335.8171
(Mi phts6177)
 

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах

А. Б. Пашковский

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
Аннотация: Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя квантовыми уровнями в сильном двухчастотном электрическом поле, обобщено на случай отстройки частот и энергий от строго резонансных. Исследована зависимость формы резонансных уровней от амплитуды и частоты электрических полей. Показано, что в зависимости от амплитуды СВЧ поля число областей абсолютной прозрачности может доходить до четырех.
Поступила в редакцию: 14.06.2016
Принята в печать: 20.06.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 430–437
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040169
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Пашковский, “Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 453–460; Semiconductors, 51:4 (2017), 430–437
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pas17}
\by А.~Б.~Пашковский
\paper Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 453--460
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6177}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44335.8171}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404884}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 430--437
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040169}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6177
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p453
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024