|
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах
А. Б. Пашковский Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
Аннотация:
Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя квантовыми уровнями в сильном двухчастотном электрическом поле, обобщено на случай отстройки частот и энергий от строго резонансных. Исследована зависимость формы резонансных уровней от амплитуды и частоты электрических полей. Показано, что в зависимости от амплитуды СВЧ поля число областей абсолютной прозрачности может доходить до четырех.
Поступила в редакцию: 14.06.2016 Принята в печать: 20.06.2016
Образец цитирования:
А. Б. Пашковский, “Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 453–460; Semiconductors, 51:4 (2017), 430–437
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6177 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p453
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 8 |
|