|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследована подвижность электронов $\mu_{\operatorname{eff}}$ в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда $N_{e}$ и температуры $T$ при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда ($N_{e}>$ 6 $\cdot$ 10$^{12}$ cм$^{-2}$) зависимости $\mu_{\operatorname{eff}}(T)$ позволяют выделить компоненты подвижности $\mu_{\operatorname{eff}}$, связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Зависимости $\mu_{\operatorname{eff}}(N_{e})$ могут быть аппроксимированы степенными функциями $\mu_{\operatorname{eff}}(N_{e})\propto N_{e}^{-n}$. Определены значения показателей $n$ зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов $N_{e}$ и режимов пленки со стороны поверхности.
Поступила в редакцию: 13.07.2016 Принята в печать: 01.08.2016
Образец цитирования:
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 446–452; Semiconductors, 51:4 (2017), 423–429
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6176 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p446
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 14 |
|