Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе

Исследована подвижность электронов $\mu_{\operatorname{eff}}$ в инверсионных слоях двухзатворных полностью обедняемых КНИ (кремний-на-изоляторе) МОП транзисторов в зависимости от плотности индуцированных носителей заряда $N_{e}$ и температуры $T$ при разных режимах пленки КНИ со стороны одного из затворов (инверсия-обогащение). Показано, что при большой плотности индуцированных носителей заряда ($N_{e}>$ 6 $\cdot$ 10$^{12}$ cм$^{-2}$) зависимости $\mu_{\operatorname{eff}}(T)$ позволяют выделить компоненты подвижности $\mu_{\operatorname{eff}}$, связанные с рассеянием на поверхностных фононах и микрорельефе границы раздела пленка/диэлектрик. Зависимости $\mu_{\operatorname{eff}}(N_{e})$ могут быть аппроксимированы степенными функциями $\mu_{\operatorname{eff}}(N_{e})\propto N_{e}^{-n}$. Определены значения показателей $n$ зависимостей и доминирующие механизмы рассеяния электронов, индуцированных вблизи границы раздела пленки КНИ со скрытым диэлектриком, для различных интервалов $N_{e}$ и режимов пленки со стороны поверхности.