Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 440–442
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44332.8366
(Mi phts6174)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации

И. А. Курова, Н. Н. Ормонт

Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация: Исследуется влияние слабой подсветки на начальном этапе релаксации метастабильной фотоиндуцированной при $T$ = 425 K темновой проводимости нелегированной пленки $a$-Si : H на скорость ее последующей термической релаксации. Установлено, что кинетика релаксации после подсветки и без нее описывается растянутыми экспонентами с величинами параметров $\tau_{0}$ и $\beta$, меньшими в случае подсветки. Показано, что уменьшение этих параметров увеличивает скорость термической релаксации метастабильной темновой проводимости пленки. Так как температура и интенсивности освещения, при которых проводились исследования, невелики, изменения скорости релаксации метастабильной проводимости вряд ли связаны с существенной структурной перестройкой аморфной сетки. Однако это может быть обусловлено изменением системы водородных связей, в частности, в результате процессов генерации и релаксации подсветкой медленных фотоиндуцированных дефектов.
Поступила в редакцию: 30.06.2016
Принята в печать: 01.08.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 417–419
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040108
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 440–442; Semiconductors, 51:4 (2017), 417–419
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KurOrm17}
\by И.~А.~Курова, Н.~Н.~Ормонт
\paper Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 440--442
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6174}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44332.8366}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404881}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 417--419
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040108}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6174
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p440
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024