|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
Аннотация:
Исследуется влияние слабой подсветки на начальном этапе релаксации метастабильной фотоиндуцированной при $T$ = 425 K темновой проводимости нелегированной пленки $a$-Si : H на скорость ее последующей термической релаксации. Установлено, что кинетика релаксации после подсветки и без нее описывается растянутыми экспонентами с величинами параметров $\tau_{0}$ и $\beta$, меньшими в случае подсветки. Показано, что уменьшение этих параметров увеличивает скорость термической релаксации метастабильной темновой проводимости пленки. Так как температура и интенсивности освещения, при которых проводились исследования, невелики, изменения скорости релаксации метастабильной проводимости вряд ли связаны с существенной структурной перестройкой аморфной сетки. Однако это может быть обусловлено изменением системы водородных связей, в частности, в результате процессов генерации и релаксации подсветкой медленных фотоиндуцированных дефектов.
Поступила в редакцию: 30.06.2016 Принята в печать: 01.08.2016
Образец цитирования:
И. А. Курова, Н. Н. Ормонт, “Изменение кинетики термической релаксации фотоиндуцированной при $T$ = 425 K метастабильной темновой проводимости пленок $a$-Si : H слабой подсветкой на начальном этапе релаксации”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 440–442; Semiconductors, 51:4 (2017), 417–419
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6174 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p440
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 10 |
|