Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 680–688
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44429.8367
(Mi phts6167)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров

А. И. Гусевab, С. К. Любутинa, С. Н. Рукинa, С. Н. Цырановab

a Институт электрофизики УрО РАН, г. Екатеринбург
b Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
Аннотация: Исследован процесс спада напряжения на силовых тиристорах, переключаемых в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой подачей на основные электроды тиристора импульса перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах на тиристор с рабочим напряжением 2 кВ подавалось напряжение со скоростью нарастания $dU/dt$ в диапазоне 0.5–6 кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые времена спада напряжения имеют количественное согласие только в том случае, когда величина активной площади структуры, через которую проходит ток переключения, зависит от $dU/dt$. Активная площадь увеличивается с возрастанием $dU/dt$, а также с увеличением удельного сопротивления исходного кремния. При этом активная площадь монотонно приближается к полной площади структуры при $dU/dt>$ 12 кВ/нс.
Поступила в редакцию: 06.10.2016
Принята в печать: 26.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 649–656
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050098
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Гусев, С. К. Любутин, С. Н. Рукин, С. Н. Цыранов, “Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 680–688; Semiconductors, 51:5 (2017), 649–656
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusLyuRuk17}
\by А.~И.~Гусев, С.~К.~Любутин, С.~Н.~Рукин, С.~Н.~Цыранов
\paper Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 680--688
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6167}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44429.8367}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404924}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 649--656
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050098}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6167
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p680
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024