|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Углеродные системы
Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC
С. Ю. Давыдов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Для оценки роли интеркалированного водорода в допировании квазисвободного эпитаксиального графена рассмотрены две системы: (i) графен–N$H$-SiC$\{0001\}$ и (ii) графен–монослой водорода–N$H$-SiC$\{0001\}$, где N = 4, 6. В случае (i) смещение точки Дирака эпитаксиального графена вызывается электростатическим полем спонтанной поляризации подложки, в случае (ii) – полем двойного электрического слоя, возникающего вследствие адсорбции атомов водорода. Показано, что во втором случае по сравнению с первым концентрация дырок в графене увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, что соответствует имеющимся экспериментальным данным.
Поступила в редакцию: 22.09.2016 Принята в печать: 31.10.2016
Образец цитирования:
С. Ю. Давыдов, “Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 671–675; Semiconductors, 51:5 (2017), 640–644
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6165 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p671
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 19 |
|