Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 663–666
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44425.8182 (Mi phts6163) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

О фотопроводимости TlInSe$_{2}$

Н. Д. Исмайлов, Ч. И. Абилов, М. С. Гасанова

Азербайджанский технический университет, г. Баку
PDF полного текста (135 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44425.8182
Аннотация: Исследованы вольт-амперные, люксамперные характеристики и кинетика релаксации фотопроводимости монокристаллов TlInSe$_{2}$. Наблюдаемые аномально большие времена релаксации, $\tau\approx$ 10$^{3}$ c, и другие особенности фотопроводимости объясняются по барьерной теории неоднородных полупроводников. Определена высота дрейфового $E_{dr}\approx$ 0.1 эВ и рекомбинационного $E_{r}\approx$ 0.45 эВ барьеров.
Поступила в редакцию: 25.04.2016
Принята в печать: 28.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 632–635
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050104
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Исмайлов, Ч. И. Абилов, М. С. Гасанова, “О фотопроводимости TlInSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 663–666; Semiconductors, 51:5 (2017), 632–635
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IsmAbiGas17}
\by Н.~Д.~Исмайлов, Ч.~И.~Абилов, М.~С.~Гасанова
\paper О фотопроводимости TlInSe$_{2}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 663--666
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6163}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44425.8182}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404920}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 632--635
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050104}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6163
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p663
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024