Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 659–662
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44424.8475
(Mi phts6162)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Аморфные, стеклообразные, органические полупроводники

Передача электронного возбуждения от TPD к нанокристаллам CdSe/CdS/ZnS

Н. С. Курочкинab, А. В. Кацабаac, С. А. Амброзевичac, А. Г. Витухновскийab, А. А. Ващенкоa, П. Н. Тананаевd

a Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва
b Московский физико-технический институт (государственный университет), г. Долгопрудный, Московская обл.
c Московский государственный технический университет имени Н. Э. Баумана
d Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н. Л. Духова, г. Москва
Аннотация: Исследована эффективность передачи энергии электронного возбуждения от органического полупроводникового материала TPD к полупроводниковым нанокристаллам CdSe/CdS/ZnS, пассивированным различными органическими лигандами. Показано, что с увеличением толщины слоя пассиватора скорость передачи возбуждения от TPD к нанокристаллам уменьшается. Высказано предположение о ферстеровском механизме передачи возбуждения.
Поступила в редакцию: 06.12.2016
Принята в печать: 12.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 628–631
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050153
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Курочкин, А. В. Кацаба, С. А. Амброзевич, А. Г. Витухновский, А. А. Ващенко, П. Н. Тананаев, “Передача электронного возбуждения от TPD к нанокристаллам CdSe/CdS/ZnS”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 659–662; Semiconductors, 51:5 (2017), 628–631
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KurKatAmb17}
\by Н.~С.~Курочкин, А.~В.~Кацаба, С.~А.~Амброзевич, А.~Г.~Витухновский, А.~А.~Ващенко, П.~Н.~Тананаев
\paper Передача электронного возбуждения от TPD к нанокристаллам CdSe/CdS/ZnS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 659--662
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6162}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44424.8475}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404919}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 628--631
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050153}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6162
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p659
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024