Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 623–631
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44419.8111 (Mi phts6157) 		 
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле

А. Б. Пашковский

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
PDF полного текста (659 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44419.8111
Аннотация: Для несимметричных дувухбарьерных и трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами, образующих открытые двухуровневые системы, получены аналитические выражения для коэффициентов прохождения и отражения электронов в сильном высокочастотном электрическом поле с частотой, близкой к резонансной. Исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды высокочастотного поля. Показано, что для таких структур практически всегда существуют условия, при которых нерезонансные каналы рассеяния вблизи квантовых уровней могут становиться абсолютно прозрачными.
Поступила в редакцию: 12.11.2015
Принята в печать: 19.10.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 594–603
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050207
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Б. Пашковский, “Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 623–631; Semiconductors, 51:5 (2017), 594–603
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pas17}
\by А.~Б.~Пашковский
\paper Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 623--631
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6157}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44419.8111}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404914}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 594--603
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050207}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6157
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p623
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024