Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 620–622
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44418.8363
(Mi phts6156)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл–полупроводник

Ш. Г. Аскеров, Л. К. Абдуллаева, М. Г. Гасанов

Бакинский государственный университет, Институт физических проблем
Аннотация: Сделана попытка объяснить причину расхождения высоты барьера для одного и того же контакта металл–полупроводник в работах различных авторов. Предполагалось, что эта проблема в основном связана со структурной неоднородностью металла, в результате чего контакт становится параллельным соединением многочисленных субконтактов, имеющих различные параметры. Для выявления влияния неоднородности металла на свойства контакта исследована зависимость высоты барьера диодов Шоттки от площади контакта. Предполагалось, что в случае контакта монокристаллического полупроводника с поликристаллическим металлом c ростом площади растут степень неоднородности и соответственно число субконтактов.
Поступила в редакцию: 20.09.2016
Принята в печать: 11.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 591–593
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050049
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ш. Г. Аскеров, Л. К. Абдуллаева, М. Г. Гасанов, “Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 620–622; Semiconductors, 51:5 (2017), 591–593
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AskAbdGas17}
\by Ш.~Г.~Аскеров, Л.~К.~Абдуллаева, М.~Г.~Гасанов
\paper Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл--полупроводник
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 620--622
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6156}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44418.8363}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404913}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 591--593
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050049}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6156
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p620
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024