Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 600–604
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44413.8388 (Mi phts6152) 		 
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe:Ti

Ю. А. Ницук, Ю. Ф. Ваксман

Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
PDF полного текста (194 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44413.8388
Аннотация: Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe:Ti в видимой и ИК-областях спектрa. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Тi обусловлена оптическими переходами электронов c основного состояния $^{3}A_{2}(F)$ на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Тi осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Тi$^{2+}$.
Поступила в редакцию: 16.08.2016
Принята в печать: 29.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 571–575
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050190
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ю. А. Ницук, Ю. Ф. Ваксман, “Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe:Ti”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 600–604; Semiconductors, 51:5 (2017), 571–575
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NitVak17}
\by Ю.~А.~Ницук, Ю.~Ф.~Ваксман
\paper Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe:Ti
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 600--604
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6152}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44413.8388}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404909}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 571--575
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050190}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6152
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p600
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024