Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения

Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium–tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением $\sim$1.2 кОм/$\square$. Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию.