|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения
Д. А. Кириенко, О. Я. Березина Петрозаводский государственный университет
Аннотация:
Представлено исследование метода отделения тонких пленок ITO (indium–tin oxide) от кремниевой подложки с помощью импульсного лазерного облучения. Метод предоставляет возможность отделения пленок с толщинами от 360 нм без их разрушения. Процесс отделения заключается в последовательной обработке поверхности одиночными лазерными импульсами микросекундной длительности на длине волны 650 нм. Пленки, полученные методом высокочастотного магнетронного распыления, после отделения от кремниевой подложки обладают пропусканием более 65% в видимом диапазоне и поверхностным сопротивлением $\sim$1.2 кОм/$\square$. Проведена оценка термонапряжений, возникающих в тонких пленках ITO и приводящих к ее отслаиванию.
Поступила в редакцию: 28.11.2016
Образец цитирования:
Д. А. Кириенко, О. Я. Березина, “Отделение тонких пленок ITO от кремниевой подложки с помощью микросекундного лазерного облучения”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 855–859; Semiconductors, 51:6 (2017), 823–827
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6146 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p855
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 52 | PDF полного текста: | 43 |
|