Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 844–849
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44566.8379
(Mi phts6144)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние постоянного магнитного поля на формирование силицидных фаз в структуре Cu/Si(100) при изотермическом отжиге

Э. Ю. Бучин, В. В. Наумов, С. В. Васильев

Ярославский филиал Федерального государственного бюджетного учреждения науки Физико-технологического института РАН
Аннотация: Экспериментально показано, что процесс твердофазного синтеза силицида меди является магниточувствительным. При низкотемпературном вакуумном отжиге тонкопленочной структуры Cu/Si(100) постоянное магнитное поле умеренной напряженности стимулирует образование твердого раствора кремния в меди и подавляет синтез фазы Cu$_{3}$Si.
Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 28.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 812–816
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060069
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Э. Ю. Бучин, В. В. Наумов, С. В. Васильев, “Влияние постоянного магнитного поля на формирование силицидных фаз в структуре Cu/Si(100) при изотермическом отжиге”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 844–849; Semiconductors, 51:6 (2017), 812–816
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BucNauVas17}
\by Э.~Ю.~Бучин, В.~В.~Наумов, С.~В.~Васильев
\paper Влияние постоянного магнитного поля на формирование силицидных фаз в структуре Cu/Si(100) при изотермическом отжиге
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 844--849
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6144}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44566.8379}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404954}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 812--816
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060069}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6144
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p844
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024