Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 759–762
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44552.12
(Mi phts6130)
 

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Влияние катионного и анионного замещений в дисульфиде и диселениде вольфрама на электропроводность и термоэдс

Г. Е. Яковлеваa, А. И. Романенкоa, А. С. Бердинскийb, В. А. Кузнецовa, А. Ю. Ледневаa, С. Б. Артемкинаa, В. Е. Федоровa

a Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
Аннотация: Исследованы температурные зависимости электропроводности и коэффициента термоэдс для серии образцов W$_{1-x}$Nb$_{x}$S$_{2}$, W$_{1-x}$Nb$_{x}$Se$_{2}$, WS$_{2-y}$Se$_{y}$, W$_{1-x}$Nb$_{x}$S$_{2-y}$Se$_{y}$ при низких температурах. Установлено, что катионное замещение W атомами Nb приводит к увеличению электропроводности и уменьшению коэффициента термоэдс. Анионное замещение S атомами Se приводит к одновременному увеличению электропроводности и коэффициента термоэдс. Наибольшее значение фактора мощности среди изученных образцов имеет материал W$_{0.8}$Nb$_{0.2}$Se$_{2}$.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 725–728
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060288
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Е. Яковлева, А. И. Романенко, А. С. Бердинский, В. А. Кузнецов, А. Ю. Леднева, С. Б. Артемкина, В. Е. Федоров, “Влияние катионного и анионного замещений в дисульфиде и диселениде вольфрама на электропроводность и термоэдс”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 759–762; Semiconductors, 51:6 (2017), 725–728
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YakRomBer17}
\by Г.~Е.~Яковлева, А.~И.~Романенко, А.~С.~Бердинский, В.~А.~Кузнецов, А.~Ю.~Леднева, С.~Б.~Артемкина, В.~Е.~Федоров
\paper Влияние катионного и анионного замещений в дисульфиде и диселениде вольфрама на электропроводность и термоэдс
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 759--762
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6130}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44552.12}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404940}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 725--728
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060288}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6130
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p759
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024