Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 756–758
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44551.11 (Mi phts6129) 		 
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Моделирование активированного электрическим полем спекания термоэлектриков

Л. П. Булатa, А. В. Новотельноваa, В. Б. Освенскийb, А. С. Тукмаковаa, Д. Ережепa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ОАО "Гиредмет", Москва, Россия
PDF полного текста (401 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44551.11
Аннотация: С использованием нестационарной компьютерной модели рассмотрен процесс активированного полем спекания составных ветвей термоэлементов. Предложена модификация оснастки. Оснастка асимметричной формы, содержащая изолирующий слой, способствует формированию в образце перепада температур, достигающего нескольких сотен градусов. Проанализировано влияние толщины электроизоляционного слоя на величину осевого и радиального перепадов температур в образцах. Показана возможность понижения радиального температурного градиента.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 722–724
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. П. Булат, А. В. Новотельнова, В. Б. Освенский, А. С. Тукмакова, Д. Ережеп, “Моделирование активированного электрическим полем спекания термоэлектриков”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 756–758; Semiconductors, 51:6 (2017), 722–724
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BulNovOsv17}
\by Л.~П.~Булат, А.~В.~Новотельнова, В.~Б.~Освенский, А.~С.~Тукмакова, Д.~Ережеп
\paper Моделирование активированного электрическим полем спекания термоэлектриков
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 756--758
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6129}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44551.11}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404939}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 722--724
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6129
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p756
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:23
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024