Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 748–751
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44549.08 (Mi phts6127) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_4$Sb$_3$

В. П. Панченкоab, Н. Ю. Табачковаb, А. А. Ивановa, Б. Р. Сенатулинb, Е. А. Андреевb

a ОАО "Гиредмет", Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
PDF полного текста (113 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44549.08
Аннотация: Проведено исследование влияния условий синтеза на структуру и термоэлектрические свойства материалов на основе антимонида цинка. Рассмотрены вопросы влияния избыточного Zn, режимов искрового плазменного спекания и легирования In на фазовый состав и термостабильность свойств полученного материала. Материал получали методом прямого сплавления компонентов и методом искрового плазменного спекания. Показано, что при определенных режимах искрового плазменного спекания введение избыточного количества Zn и легирование In позволяют получить материал $\beta$-Zn$_4$Sb$_3$ со значением термоэлектрической эффективности $ZT\approx$ 1.47 при температуре 720 K, который показал стабильность свойств в рамках проведенных испытаний.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 714–717
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060252
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Панченко, Н. Ю. Табачкова, А. А. Иванов, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Андреев, “Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_4$Sb$_3$”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 748–751; Semiconductors, 51:6 (2017), 714–717
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PanTabIva17}
\by В.~П.~Панченко, Н.~Ю.~Табачкова, А.~А.~Иванов, Б.~Р.~Сенатулин, Е.~А.~Андреев
\paper Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_4$Sb$_3$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 748--751
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6127}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44549.08}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404937}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 714--717
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060252}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6127
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p748
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025