Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 740–743
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44547.06 (Mi phts6125) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии

А. С. Ореховab, Т. С. Камиловc, Б. В. Ибрагимоваc, Г. И. Ивакинa, В. В. Клечковскаяa

a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Ташкентский государственный технический университет
PDF полного текста (1684 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44547.06
Аннотация: Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 706–709
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060240
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Орехов, Т. С. Камилов, Б. В. Ибрагимова, Г. И. Ивакин, В. В. Клечковская, “Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 740–743; Semiconductors, 51:6 (2017), 706–709
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OreKamIbr17}
\by А.~С.~Орехов, Т.~С.~Камилов, Б.~В.~Ибрагимова, Г.~И.~Ивакин, В.~В.~Клечковская
\paper Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 740--743
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6125}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44547.06}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404935}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 706--709
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060240}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6125
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p740
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025