Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 733–735
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44545.04
(Mi phts6123)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Термоэлектрические свойства InSb$\langle$Zn$\rangle$ в нанопористом стекле

О. Н. Урюпин, А. А. Шабалдин

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Получены нанопроволочные структуры антимонида индия, легированного цинком. Эти структуры были сформированы в пористом стекле с характерными размерами пор $\sim$7 нм. Исследованы температурные зависимости электрического кондактанса, термоэдс и вольт-амперные характеристики. Впервые обнаружено увеличение термоэдс антимонида индия в пористом стекле по сравнению с термоэдс массивного материала.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 699–701
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060276
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. Н. Урюпин, А. А. Шабалдин, “Термоэлектрические свойства InSb$\langle$Zn$\rangle$ в нанопористом стекле”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 733–735; Semiconductors, 51:6 (2017), 699–701
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UrySha17}
\by О.~Н.~Урюпин, А.~А.~Шабалдин
\paper Термоэлектрические свойства InSb$\langle$Zn$\rangle$ в нанопористом стекле
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 733--735
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6123}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44545.04}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404933}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 699--701
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060276}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6123
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p733
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024