Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 729–732
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44544.03
(Mi phts6122)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Расчет теплопроводности наноструктурированного Bi$_{2}$Te$_{3}$ с учетом реального фононного спектра

Л. П. Булатa, Д. А. Пшенай-Северинbc, В. Б. Освенскийd, Ю. Н. Пархоменкоd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
d ОАО "Гиредмет", Москва, Россия
Аннотация: Приведены результаты расчета теплопроводности решетки в теллуриде висмута и оценки ее снижения в наноструктурированном материале за счет граничного рассеяния. Расчет проводился с использованием метода решеточной динамики с учетом реального спектра фононов и фонон-фононного взаимодействия. Его результаты хорошо согласуются с экспериментальными данными для кристаллического материала. Оценки для наноструктурированного материала дали снижение теплопроводности на 30% при размерах зерен 20 нм. Проводится сравнение данного метода расчета с расчетами, использующими приближенные методы описания спектра и процессов рассеяния. Показано, что наименьшее отличие в оценках (около 10%) может быть получено при использовании приближения постоянного матричного элемента фонон-фононного рассеяния с коррекцией частотной зависимости для акустических мод.
Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 695–698
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060070
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. П. Булат, Д. А. Пшенай-Северин, В. Б. Освенский, Ю. Н. Пархоменко, “Расчет теплопроводности наноструктурированного Bi$_{2}$Te$_{3}$ с учетом реального фононного спектра”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 729–732; Semiconductors, 51:6 (2017), 695–698
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BulPshOsv17}
\by Л.~П.~Булат, Д.~А.~Пшенай-Северин, В.~Б.~Освенский, Ю.~Н.~Пархоменко
\paper Расчет теплопроводности наноструктурированного Bi$_{2}$Te$_{3}$ с учетом реального фононного спектра
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 729--732
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6122}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44544.03}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404932}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 695--698
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060070}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6122
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p729
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024