Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 975–980
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44657.8465 (Mi phts6114) 		 
Электронные свойства полупроводников

Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него

Г. П. Гайдарa, П. И. Баранскийb

a Институт ядерных исследований НАН Украины
b Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
PDF полного текста (308 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44657.8465
Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы изменения тензосопротивления, тензомагнето- и магнетотензосопротивления в широких диапазонах напряженностей магнитного поля, 0 $\le H\le$ 100 кЭ, и механических напряжений, 0 $\le X \le$ 0.7 ГПа, при 77 K в условиях невырожденной статистики электронного газа в кристаллах $n$-Ge разной кристаллографической ориентации.
Поступила в редакцию: 29.11.2016
Принята в печать: 07.12.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 936–941
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070090
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. П. Гайдар, П. И. Баранский, “Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 975–980; Semiconductors, 51:7 (2017), 936–941
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GaiBar17}
\by Г.~П.~Гайдар, П.~И.~Баранский
\paper Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 975--980
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6114}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44657.8465}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772372}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 936--941
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070090}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6114
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p975
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024