|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)
М. А. Коржуев Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация:
Обсуждаются причины “концентрационного коллапса” – резкого увеличения равновесной концентрации носителей заряда $n,p$ = 1 $\cdot$ 10$^{19}$ $\to$ (2–5) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ при переходе от бинарных сплавов типа GeTe и Bi$_{2}$Te$_{3}$ к тройным сплавам семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$). Явление связывается с позиционным разупорядочением гетеровалентных катионов (Ge$^{+2}$, Sn$^{+2}$, Pb$^{+2}$
$\leftrightarrow$ Bi$^{+3}$, Sb$^{+3}$) в катионной подрешетке тройных сплавов. При разупорядочении изовалентных катионов (Bi$^{+3}$ $\leftrightarrow$ Sb$^{+3}$) либо анионов (Te$^{-2}$ $\leftrightarrow$ Se$^{-2}$) явление не наблюдается.
Поступила в редакцию: 27.12.2016 Принята в печать: 12.01.2017
Образец цитирования:
М. А. Коржуев, “Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 963–965; Semiconductors, 51:7 (2017), 924–927
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6111 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p963
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 12 |
|