Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 963–965
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44654.40
(Mi phts6111)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)

М. А. Коржуев

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация: Обсуждаются причины “концентрационного коллапса” – резкого увеличения равновесной концентрации носителей заряда $n,p$ = 1 $\cdot$ 10$^{19}$ $\to$ (2–5) $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$ при переходе от бинарных сплавов типа GeTe и Bi$_{2}$Te$_{3}$ к тройным сплавам семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$). Явление связывается с позиционным разупорядочением гетеровалентных катионов (Ge$^{+2}$, Sn$^{+2}$, Pb$^{+2}$ $\leftrightarrow$ Bi$^{+3}$, Sb$^{+3}$) в катионной подрешетке тройных сплавов. При разупорядочении изовалентных катионов (Bi$^{+3}$ $\leftrightarrow$ Sb$^{+3}$) либо анионов (Te$^{-2}$ $\leftrightarrow$ Se$^{-2}$) явление не наблюдается.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 924–927
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070181
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Коржуев, “Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 963–965; Semiconductors, 51:7 (2017), 924–927
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kor17}
\by М.~А.~Коржуев
\paper Концентрационный коллапс в слоистых кристаллах семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 963--965
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6111}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44654.40}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772369}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 924--927
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070181}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6111
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p963
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024