Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 940–943
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44648.34
(Mi phts6105)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Оценка ширины запрещенной зоны ряда новых термоэлектрических материалов

М. А. Кретова, М. А. Коржуев

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация: Проведены оценки ширины запрещенной зоны $E_{g}$ ряда новых термоэлектрических материалов – скутерудитов, клатратов, фаз Гейслера, тройных сплавов [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}$]$_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2…) и др. Оценки производили по формуле Голдсмита–Шарпа $E_{g}=2e|\alpha_{\operatorname{max}}|T_{\operatorname{max}}$, по правилу Вегарда $E_{g}=(mE_{g}^{\operatorname{A}}+nE_{g}^{\operatorname{B}})/(m+n)$, а также с использованием эмпирической зависимости $T_{\operatorname{max}}=f(E_{g})$ (A, B – соответствующие бинарные сплавы, $T_{\operatorname{max}}$ – температура максимума термоэдс $|\alpha_{\operatorname{max}}|$ или термоэлектрической добротности $(ZT)_{\operatorname{max}}$, $e$ – элементарный заряд). Показано, что использование эмпирической зависимости $E_{g}=f(T_{\operatorname{max}})$ дает наиболее точные оценки $E_{g}$ различных классов термоэлектрических материалов.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 902–905
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261707020X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Кретова, М. А. Коржуев, “Оценка ширины запрещенной зоны ряда новых термоэлектрических материалов”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 940–943; Semiconductors, 51:7 (2017), 902–905
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KreKor17}
\by М.~А.~Кретова, М.~А.~Коржуев
\paper Оценка ширины запрещенной зоны ряда новых термоэлектрических материалов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 940--943
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6105}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44648.34}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772363}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 902--905
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261707020X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6105
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p940
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024