Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 937–939
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44647.33
(Mi phts6104)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Электрохимические исследования процессов легирования медью слоистых кристаллов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)

М. А. Кретова, М. А. Коржуев, Е. С. Авилов

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация: Изучены процессы интеркаляции меди в ван-дер-ваальсовы (VdW) щели слоистых тройных сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$), изменяющие электрические, механические и другие физические свойства образцов. Обнаружено пропорциональное снижение концентрации интеркалированной меди $\Delta N_{\operatorname{Cu}}$ при уменьшении относительной объемной плотности щелей Ван-дер-Ваальса $D_{\operatorname{VdW}}=1/s$ с ростом слойности пакетов $s$, а также их толщины $\xi_{1}$ при изменении состава тройных сплавов.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 898–901
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070193
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Кретова, М. А. Коржуев, Е. С. Авилов, “Электрохимические исследования процессов легирования медью слоистых кристаллов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 937–939; Semiconductors, 51:7 (2017), 898–901
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KreKorAvi17}
\by М.~А.~Кретова, М.~А.~Коржуев, Е.~С.~Авилов
\paper Электрохимические исследования процессов легирования медью слоистых кристаллов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0,1,2 $\dots$)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 937--939
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6104}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44647.33}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772362}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 898--901
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070193}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6104
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p937
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:26
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024