|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием
А. С. Ореховab, В. В. Клечковскаяa, Е. В. Раковаa, Ф. Ю. Соломкинc, С. В. Новиковc, Л. В. Бочковc, Г. Н. Исаченкоdc a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Природа формирования включений фазы моносилицида марганца в процессе роста кристаллов высшего силицида марганца до сих пор детально не изучена. На их количество (плотность) значительное влияние оказывают легирующие примеси. В работе была исследована структура кристаллов высшего силицида марганца, выращенных с различным содержанием германия в качестве легирующего элемента. Было выявлено, что увеличение концентрации германия до 1 ат% приводит к дроблению слоистых выделений моносилицида марганца и, одновременно с этим, к значительным изменениям термоэлектрических свойств кристалла высшего силицида марганца. Полученные данные об изменениях микроструктуры, возникающих в зависимости от концентрации германия, могут быть полезны для понимания механизма формирования фазы моносилицида марганца при росте кристаллов высшего силицида марганца.
Поступила в редакцию: 27.12.2016 Принята в печать: 12.01.2017
Образец цитирования:
А. С. Орехов, В. В. Клечковская, Е. В. Ракова, Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, Л. В. Бочков, Г. Н. Исаченко, “Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 925–928; Semiconductors, 51:7 (2017), 887–890
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6101 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p925
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 5 |
|