Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 925–928
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44644.30 (Mi phts6101) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием

А. С. Ореховab, В. В. Клечковскаяa, Е. В. Раковаa, Ф. Ю. Соломкинc, С. В. Новиковc, Л. В. Бочковc, Г. Н. Исаченкоdc

a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (1414 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44644.30
Аннотация: Природа формирования включений фазы моносилицида марганца в процессе роста кристаллов высшего силицида марганца до сих пор детально не изучена. На их количество (плотность) значительное влияние оказывают легирующие примеси. В работе была исследована структура кристаллов высшего силицида марганца, выращенных с различным содержанием германия в качестве легирующего элемента. Было выявлено, что увеличение концентрации германия до 1 ат% приводит к дроблению слоистых выделений моносилицида марганца и, одновременно с этим, к значительным изменениям термоэлектрических свойств кристалла высшего силицида марганца. Полученные данные об изменениях микроструктуры, возникающих в зависимости от концентрации германия, могут быть полезны для понимания механизма формирования фазы моносилицида марганца при росте кристаллов высшего силицида марганца.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 887–890
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070302
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Орехов, В. В. Клечковская, Е. В. Ракова, Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, Л. В. Бочков, Г. Н. Исаченко, “Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 925–928; Semiconductors, 51:7 (2017), 887–890
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OreKleRak17}
\by А.~С.~Орехов, В.~В.~Клечковская, Е.~В.~Ракова, Ф.~Ю.~Соломкин, С.~В.~Новиков, Л.~В.~Бочков, Г.~Н.~Исаченко
\paper Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 925--928
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6101}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44644.30}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772359}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 887--890
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070302}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6101
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p925
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024