|
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
С. В. Ордин, Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, В. Н. Пантелеев Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых $p$–$n$-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и $p$–$i$–$n$-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники.
Поступила в редакцию: 27.12.2016 Принята в печать: 12.01.2017
Образец цитирования:
С. В. Ордин, Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, В. Н. Пантелеев, “Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 921–924; Semiconductors, 51:7 (2017), 883–886
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6100 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p921
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 34 | PDF полного текста: | 15 |
|