Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 921–924
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44643.29
(Mi phts6100)
 

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках

С. В. Ордин, Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, В. Н. Пантелеев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Получено экспериментальное подтверждение возникновения в структурах на базе широкозонных полупроводников локальных термоэдс, обнаруженных ранее на кремниевых $p$$n$-переходах. Были исследованы вольт-амперные и частотные характеристики асимметричного потенциального барьера на границе GaN/Mg и $p$$i$$n$-структуры на базе GaAs. Показано, что вклад локальных термоэдс и в широкозонных полупроводниках определяет как особенности вольт-амперных характеристик, так и особенности частотных вольт-ваттных характеристик, в частности гауссов резонанс. При учете и использовании локальных термоэдс возможно как кардинальное повышение кпд термоэлектрического преобразования, так и улучшение рабочих параметров элементов микроэлектроники.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 883–886
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070296
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Ордин, Ю. В. Жиляев, В. В. Зеленин, В. Н. Пантелеев, “Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 921–924; Semiconductors, 51:7 (2017), 883–886
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrdZhiZel17}
\by С.~В.~Ордин, Ю.~В.~Жиляев, В.~В.~Зеленин, В.~Н.~Пантелеев
\paper Локальные термоэлектрические эффекты в широкозонных полупроводниках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 921--924
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6100}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44643.29}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772358}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 883--886
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070296}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6100
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p921
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024