|
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC
А. А. Лебедевa, Б. Я. Берa, Г. А. Оганесянa, С. В. Беловa, С. П. Лебедевab, И. П. Никитинаa, Н. В. Середоваa, Л. В. Шаховa, В. В. Козловскийc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Исследовано воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на эпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC, выращенные методом сублимации на полуизолирующих подложках 4$H$-SiC. Изменения параметров образцов регистрировали методом эффекта Холла и по спектрам фотолюминесценции. Метод Холла был применен для раздельной оценки влияния облучения на концентрацию и подвижность носителей заряда. Скорость удаления носителей $(V_{d})$ составила $\sim$110 см$^{-1}$. Полная компенсация образцов с исходной концентрацией носителей заряда 6.5 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$ наблюдалась при дозах облучения $\sim$6 $\cdot$ 10$^{15}$ см$^{-2}$. Подвижность носителей заряда при таких дозах облучения уменьшалась всего в 2.5 раза. По сравнению с 4$H$ и 6$H$ карбида кремния не было отмечено значительного увеличения интенсивности так называемой “дефектной” фотолюминесценции.
Поступила в редакцию: 06.02.2017 Принята в печать: 08.02.2017
Образец цитирования:
А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1088–1090; Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6075 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1088
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 28 | PDF полного текста: | 7 |
|