Примесные уровни в кристаллах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$

Исследованы параметры примесных уровней в образцах Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$, при использовании температурных зависимостей концентрации электронов $n(T)$ и энергии Ферми $E_{F}(T)$, полученных по данным коэффициента Холла $R(T)$ и термоэдс $\alpha(T)$. Приведенный дифференциальный анализ зависимостей $n(T)$ показал, что изменяя степень компенсации с помощью термообработки образцов, можно зафиксировать более широкий спектр примесных уровней в запрещенной зоне Hg$_{3}$In$_{2}$Te$_{6}$.