|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Сложная структура оптических переходов с остовных $d$-уровней кристаллов InAs и InSb
В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков Удмуртский государственный университет, г. Ижевск
Аннотация:
Усовершенствованным беспараметрическим методом объединенных диаграмм Арганда спектры диэлектрической проницаемости кристаллов InAs и InSb в области 15–40 эВ разложены на тринадцать и двенадцать отдельных компонент соответственно с определением для каждой из них трех основных параметров: энергий максимума и полуширины, а также силы осциллятора. Силы осцилляторов находятся в интервалах 0.006–0.10 (InAs) и 0.014–0.076 (InSb). Спектры диэлектрических проницаемостей предварительно рассчитаны на основе экспериментальных спектров отражения и поглощения методом интегральных соотношений Крамерса–Кронига. Предложена природа полученных полос переходов по модели межзонных и экситонных переходов.
Поступила в редакцию: 22.11.2016 Принята в печать: 25.01.2017
Образец цитирования:
В. В. Соболев, Д. А. Перевощиков, “Сложная структура оптических переходов с остовных $d$-уровней кристаллов InAs и InSb”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1078–1084; Semiconductors, 51:8 (2017), 1034–1040
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6073 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1078
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 32 | PDF полного текста: | 6 |
|