Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1075–1077
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44792.8532
(Mi phts6072)
 

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии

В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: С использованием сандвич-метода легирования монокристаллического бездислокационного кремния магнием исследована диффузия примеси в диапазоне температур 1000–1200$^\circ$С. Найденная зависимость коэффициента диффузии межузельного магния от температуры универсальным образом описывает данные настоящей работы и ранее исследованную температурную область 600–800$^\circ$С. Малая энергия активации диффузии (1.83 эВ) свидетельствует о межузельном транспорте примеси.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 15.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1031–1033
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080292
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, “Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1075–1077; Semiconductors, 51:8 (2017), 1031–1033
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShuAstLod17}
\by В.~Б.~Шуман, Ю.~А.~Астров, А.~Н.~Лодыгин, Л.~М.~Порцель
\paper Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1075--1077
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6072}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44792.8532}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938285}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1031--1033
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080292}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6072
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1075
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024