|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии
В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
С использованием сандвич-метода легирования монокристаллического бездислокационного кремния магнием исследована диффузия примеси в диапазоне температур 1000–1200$^\circ$С. Найденная зависимость коэффициента диффузии межузельного магния от температуры универсальным образом описывает данные настоящей работы и ранее исследованную температурную область 600–800$^\circ$С. Малая энергия активации диффузии (1.83 эВ) свидетельствует о межузельном транспорте примеси.
Поступила в редакцию: 31.01.2017 Принята в печать: 15.02.2017
Образец цитирования:
В. Б. Шуман, Ю. А. Астров, А. Н. Лодыгин, Л. М. Порцель, “Высокотемпературная диффузия магния в бездислокационном кремнии”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1075–1077; Semiconductors, 51:8 (2017), 1031–1033
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6072 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1075
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 45 | PDF полного текста: | 14 |
|