Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1064–1067
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44789.58
(Mi phts6069)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Структура пластин твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена

В. Д. Демчеглоa, А. И. Воронинa, Н. Ю. Табачковаa, В. Т. Бубликa, В. Ф. Пономаревb

a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Кристалл", Королев, Россия
Аннотация: Проведен анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$ с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Текстура является важным фактором, формирующим анизотропию свойств и технологическую пригодность слитка для изготовления модулей. Проведен анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры в слитках, полученных модифицированным методом Бриджмена (выращивание термоэлектрических пластин в плоской полости). Анализ текстуры показал, что для предложенного метода кристаллизации существенным фактором, влияющим на формирование структуры термоэлектрического материала, является не только скорость кристаллизации, но и конструктивное исполнение кристаллизационной полости. При уменьшении толщины пластины в результате изменения условий теплоотвода в тонком зазоре можно получить более совершенную структуру.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1021–1023
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080085
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Д. Демчегло, А. И. Воронин, Н. Ю. Табачкова, В. Т. Бублик, В. Ф. Пономарев, “Структура пластин твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1064–1067; Semiconductors, 51:8 (2017), 1021–1023
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DemVorTab17}
\by В.~Д.~Демчегло, А.~И.~Воронин, Н.~Ю.~Табачкова, В.~Т.~Бублик, В.~Ф.~Пономарев
\paper Структура пластин твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1064--1067
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6069}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44789.58}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938282}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1021--1023
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080085}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6069
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1064
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:46
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024