|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Структура пластин твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена
В. Д. Демчеглоa, А. И. Воронинa, Н. Ю. Табачковаa, В. Т. Бубликa, В. Ф. Пономаревb a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное объединение "Кристалл", Королев, Россия
Аннотация:
Проведен анализ анизотропии свойств твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$ с помощью построения указательных поверхностей для коэффициентов термоэлектрической эффективности и термического расширения. Текстура является важным фактором, формирующим анизотропию свойств и технологическую пригодность слитка для изготовления модулей. Проведен анализ анизотропии свойств на основе изучения текстуры в слитках, полученных модифицированным методом Бриджмена (выращивание термоэлектрических пластин в плоской полости). Анализ текстуры показал, что для предложенного метода кристаллизации существенным фактором, влияющим на формирование структуры термоэлектрического материала, является не только скорость кристаллизации, но и конструктивное исполнение кристаллизационной полости. При уменьшении толщины пластины в результате изменения условий теплоотвода в тонком зазоре можно получить более совершенную структуру.
Поступила в редакцию: 31.01.2017 Принята в печать: 08.02.2017
Образец цитирования:
В. Д. Демчегло, А. И. Воронин, Н. Ю. Табачкова, В. Т. Бублик, В. Ф. Пономарев, “Структура пластин твердого раствора Bi$_{2}$Se$_{0.3}$Te$_{2.7}$, полученных кристаллизацией в плоской полости методом Бриджмена”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1064–1067; Semiconductors, 51:8 (2017), 1021–1023
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6069 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1064
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 46 | PDF полного текста: | 12 |
|