Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1060–1063
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44788.57
(Mi phts6068)
 

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Сверхпроводящие свойства (Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия

Н. Ю. Михайлин, Р. В. Парфеньев, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, Г. О. Андрианов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Изучены сверхпроводящие свойства полупроводникового сплава Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$Te, легированного 5 ат.% In, при гидростатическом сжатии $P<$ 7 кбар. При увеличении давления $P>$ 1.35 кбар исчезает скачок сопротивления к $\rho$ = 0 на температурных и магнитополевых зависимостях электросопротивления $\rho(T)$ при $T\ge$ 1.3 K и $\rho(H)$, соответствующих переходу в сверхпроводящее состояние. Экспериментальные результаты свидетельствуют об уменьшении плотности состояний на уровне Ферми с ростом давления, что можно интерпретировать как смещение уровня индия вглубь валентной зоны. Полученные данные уточняют и дополняют результаты работ по изучению барических зависимостей критических параметров сверхпроводящего перехода в (Pb$_{z}$Sn$_{1-z}$)$_{0.95}$In$_{0.05}$Te с различным содержанием свинца $z$.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1017–1020
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261708022X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Ю. Михайлин, Р. В. Парфеньев, А. В. Черняев, Д. В. Шамшур, Г. О. Андрианов, “Сверхпроводящие свойства (Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1060–1063; Semiconductors, 51:8 (2017), 1017–1020
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MikParChe17}
\by Н.~Ю.~Михайлин, Р.~В.~Парфеньев, А.~В.~Черняев, Д.~В.~Шамшур, Г.~О.~Андрианов
\paper Сверхпроводящие свойства (Pb$_{0.05}$Sn$_{0.95}$)Te, легированного индием, в условиях гидростатического сжатия
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1060--1063
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6068}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44788.57}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938281}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1017--1020
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261708022X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6068
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1060
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024