Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1048–1051
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44785.54
(Mi phts6065)
 

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$ $p$-типа проводимости

Г. Н. Исаченкоab, А. Ю. Самунинa, В. К. Зайцевa, Е. А. Гуриеваa, П. П. Константиновa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: Исследованы термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$, легированного Ga и Li. Получены образцы с концентрацией дырок до 5 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Измерены температурные зависимости термоэдс, электропроводности и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Наблюдается более высокая подвижность свободных носителей на образцах, легированных литием, чем в образцах с галлием. Максимальная безразмерная термоэлектрическая добротность на исследованных образцах составила 0.42 при 700 K.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 08.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1005–1008
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080127
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Н. Исаченко, А. Ю. Самунин, В. К. Зайцев, Е. А. Гуриева, П. П. Константинов, “Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$ $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1048–1051; Semiconductors, 51:8 (2017), 1005–1008
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{IsaSamZai17}
\by Г.~Н.~Исаченко, А.~Ю.~Самунин, В.~К.~Зайцев, Е.~А.~Гуриева, П.~П.~Константинов
\paper Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$ $p$-типа проводимости
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1048--1051
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6065}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44785.54}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938278}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1005--1008
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080127}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6065
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1048
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024