|
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$ $p$-типа проводимости
Г. Н. Исаченкоab, А. Ю. Самунинa, В. К. Зайцевa, Е. А. Гуриеваa, П. П. Константиновa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Исследованы термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$, легированного Ga и Li. Получены образцы с концентрацией дырок до 5 $\cdot$ 10$^{20}$ см$^{-3}$. Измерены температурные зависимости термоэдс, электропроводности и теплопроводности от комнатной температуры до 800 K. Наблюдается более высокая подвижность свободных носителей на образцах, легированных литием, чем в образцах с галлием. Максимальная безразмерная термоэлектрическая добротность на исследованных образцах составила 0.42 при 700 K.
Поступила в редакцию: 31.01.2017 Принята в печать: 08.02.2017
Образец цитирования:
Г. Н. Исаченко, А. Ю. Самунин, В. К. Зайцев, Е. А. Гуриева, П. П. Константинов, “Термоэлектрические свойства твердого раствора Mg$_{2}$Ge$_{0.3}$Sn$_{0.7}$ $p$-типа проводимости”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1048–1051; Semiconductors, 51:8 (2017), 1005–1008
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6065 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1048
|
|