Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1031–1033
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44780.49
(Mi phts6060)
 

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Особенности транспортных свойств соединения Lu$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$

М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов

Белгородский государственный национальный исследовательский университет
Аннотация: Исследованы температурные, электрополевые и магнитополевые зависимости удельного электрического сопротивления соединения R$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$. В низкотемпературной области в данном соединении реализуется прыжковый механизм проводимости с переменной длиной прыжка. В температурной области прыжковой проводимости электрическое сопротивление уменьшается при возрастании напряженности электрического поля в образце, что характерно для процессов туннелирования носителей заряда из одного локализованного состояния в примесной зоне в другое состояние. При исследовании поперечного магнитосопротивления обнаружен кроссовер от параболической зависимости магнитосопротивления в слабых полях к линейной зависимости в сильных полях. Установленные особенности транспортных свойств соединения R$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$ характерны для неоднородных и неупорядоченных полупроводников.
Поступила в редакцию: 31.01.2017
Принята в печать: 15.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 989–991
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080322
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Н. Япрынцев, Р. А. Любушкин, О. Н. Соклакова, О. Н. Иванов, “Особенности транспортных свойств соединения Lu$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1031–1033; Semiconductors, 51:8 (2017), 989–991
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YapLyuSok17}
\by М.~Н.~Япрынцев, Р.~А.~Любушкин, О.~Н.~Соклакова, О.~Н.~Иванов
\paper Особенности транспортных свойств соединения Lu$_{0.1}$Bi$_{1.9}$Te$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1031--1033
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6060}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44780.49}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938273}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 989--991
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080322}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6060
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1031
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024