Отклик термоэлектрических параметров пленок Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ на вторичную рекристаллизацию

Методом дискретного испарения на подложках из слюды (мусковит) сформированы пленки Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ толщиной 1.2 мкм. Средний латеральный размер кристаллитов в свежевыращенных пленках $\sim$800 нм. Плоскость (0001) в кристаллитах преимущественно ориентирована параллельно плоскости подложки. После термообработки в атмосфере аргона эффективный латеральный размер кристаллитов, в которых ось третьего порядка перпендикулярна плоскости подложки, увеличивался в 3–5 раз, причем последние были четко преимущественно ориентированы и в плоскости подложки. Параметр термоэлектрической мощности пленок Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$, после их термообработки в инертной атмосфере возрастал примерно вдвое и имел значения, близкие к его величине для соответствующих монокристаллов.