Анизотропия термоэдс в высших силицидах переходных металлов

Применена новая методика измерения анизотропии термоэдс с использованием поликристаллов, основанная на многократном измерении ансамбля микрокристаллов при их случайной ориентации и статистической обработке результатов измерений. С использованием поликристаллов измерена анизотропия термоэдс ряда высших силицидов переходных металлов ($\beta$-FeSi$_{2}$, легированного MnSi$_{1.75}$, ReSi$_{1.75}$, CrSi$_{2}$). В кристаллах $\beta$-FeSi$_{2}$ может возникать очень большая величина анизотропии термоэдс, в кристаллах ReSi$_{1.75}$ возможна термоэдс различного знака, в CrSi$_{2}$ установлена сильная зависимость абсолютной величины термоэдс и ее анизотропии от температурных режимов термообработки. Измерены температурные зависимости электропроводности и термоэдс иголок CrSi$_{2}$. Анизотропия термоэдс в них, так же как и в объемных монокристаллах, сохраняется в широком интервале температур.