Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1011–1013
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44774.43
(Mi phts6054)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Анализ кристаллической структуры сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) в рамках теории плотнейших шаровых упаковок

М. А. Коржуев, А. Б. Михайлова, М. А. Кретова, Е. С. Авилов

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация: В рамках теории плотнейших шаровых упаковок исследованы процессы формирования сложных кристаллических структур – слоистых кристаллов тройных сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) с различной симметрией (пространственные группы $R\bar3m$, $P\bar3m_{1}$ и $P2_{1}/m$). Найдено, что структуры слоистых бинарных сплавов типа Bi$_{2}$Te$_{3}$ $(R\bar3m)$ и типа PbTe ($Fm\bar3m$ и $R3m$) являются родственными и формируются на основе триплета $s$3 с кубической симметрией $(Fm\bar3m)$, образованного атомами халькогенов (Se,Te).
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 969–971
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080164
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. А. Коржуев, А. Б. Михайлова, М. А. Кретова, Е. С. Авилов, “Анализ кристаллической структуры сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) в рамках теории плотнейших шаровых упаковок”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1011–1013; Semiconductors, 51:8 (2017), 969–971
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KorMikKre17}
\by М.~А.~Коржуев, А.~Б.~Михайлова, М.~А.~Кретова, Е.~С.~Авилов
\paper Анализ кристаллической структуры сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) в рамках теории плотнейших шаровых упаковок
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1011--1013
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6054}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44774.43}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938267}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 969--971
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080164}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6054
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1011
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024