|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.
Анализ кристаллической структуры сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) в рамках теории плотнейших шаровых упаковок
М. А. Коржуев, А. Б. Михайлова, М. А. Кретова, Е. С. Авилов Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН, Москва, Россия
Аннотация:
В рамках теории плотнейших шаровых упаковок исследованы процессы формирования сложных кристаллических структур – слоистых кристаллов тройных сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) с различной симметрией (пространственные группы $R\bar3m$, $P\bar3m_{1}$ и $P2_{1}/m$). Найдено, что структуры слоистых бинарных сплавов типа Bi$_{2}$Te$_{3}$ $(R\bar3m)$ и типа PbTe ($Fm\bar3m$ и $R3m$) являются родственными и формируются на основе триплета $s$3 с кубической симметрией $(Fm\bar3m)$, образованного атомами халькогенов (Se,Te).
Поступила в редакцию: 27.12.2016 Принята в печать: 12.01.2017
Образец цитирования:
М. А. Коржуев, А. Б. Михайлова, М. А. Кретова, Е. С. Авилов, “Анализ кристаллической структуры сплавов семейства [(Ge,Sn,Pb)(Te,Se)]$_{m}$[(Bi,Sb)$_{2}$(Te,Se)$_{3}]_{n}$ ($m,n$ = 0, 1, 2, $\dots$) в рамках теории плотнейших шаровых упаковок”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1011–1013; Semiconductors, 51:8 (2017), 969–971
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6054 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1011
|
|